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450조 미래사업 투자계획 발표＂ 3년 뒤 차량용 메모리 1위 달성＂

삼성전자가 글로벌 경기 위축에 따른 실적 부진에도 불구하고 과감한 선행 기술 개발과 대규모 투자에 나선다. 불황기에 과감한 투자를 통해 후발 주자와의 격차를 확실히 벌리겠다는 것이다.

삼성전자는 지난 3~5일(현지 시각) 미 캘리포니아 실리콘밸리 새너제이에서 삼성 파운드리 포럼과 테크 데이를 갖고 신기술 개발과 파운드리(반도체 위탁 생산) 생산 능력 확대 계획을 공개했다. 지난 5월 삼성전자는 향후 5년간 시스템반도체·파운드리·바이오 등 미래 신사업에 450조원을 투자하겠다고 밝혔는데, 이에 대한 세부 계획을 밝힌 것이다.

삼성전자는 파운드리 분야에서 세계 1위인 대만의 TSMC를 잡기 위해 초미세 공정인 1.4나노(1나노는 10억분의 1m) 공정을 2027년 도입하겠다고 밝혔다. 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정을 양산에 적용한 삼성전자는 1.4나노 공정도 조기 도입을 통해 다시 한번 TSMC를 기술력으로 제치겠다는 계획이다. 삼성전자는 또 파운드리 생산 능력을 2027년까지 올해보다 3배 이상 확대해 시장점유율도 확대한다고 밝혔다. 메모리 반도체 분야에서는 성능을 개선한 차세대 D램과 경쟁사 제품보다 월등한 낸드플래시를 개발하겠다고 했다. 내년에 경쟁사보다 앞선 5세대 10나노급 D램을 출시하겠다고 했고, 2030년엔 1000단 낸드플래시를 개발하겠다고 밝혔다. 현재 주력 제품에 비해 5배나 집적도를 높이겠다는 것이다. 삼성은 또 차량용 메모리 반도체 시장에서도 2025년 1위를 달성하겠다고 했다. 기고자 : 실리콘밸리=김성민 특파원
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